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本方向聚焦于集成电路的物理基础层，研究半导体器件的核心物理机理与工艺优化，为实验室各类芯片的高性能指标提供源头支撑。 主要研究内容包括：面向图像传感器的像素器件结构设计与工艺优化，通过物理机理创新实现更高的光电转换效率、饱和信号量与更低的暗电流；面向智能计算芯片的新型计算器件探索，立足 CMOS 工艺研发超越传统布尔逻辑的多比特计算器件，重点攻克器件一致性、漏电流、存储密度及权重维持时间等核心指标。 本方向适合微电子学、物理电子学、半导体物理等专业背景的同学，重点考察对半导体器件物理的理解深度以及器件级仿真与工艺优化的实践能力。 |